Selbstsperrender Transistor mit Heteroübergang mit Hoher Elektronenbeweglichkeit
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3203527
- Aktenzeichen
- EP17154327
- Anmeldetag
- 2. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2025
- Erteilung
- 24. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/47H10D62/17// H10D64/27H10D62/854H10D62/85
Abstract
The invention relates to a normally off type high electron mobility field effect transistor (1), comprising: - a first GaN layer (14) with P-type doping; - a second GaN layer (15) with N-type doping formed on the first GaN layer; - a third GaN layer (16) not intentionally doped and formed on the second GaN layer; - a semiconductor layer (17) formed to form an electron gas layer (18); - a cavity formed through said third GaN layer, without reaching the bottom of the second GaN layer; - a gate (3) including a conductive gate material (31) and a gate insulator layer (32) arranged in said cavity, said gate insulator layer electrically insulating said conductive gate material (31) with respect to said second and third GaN layers.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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