Vertikaler Strukturierter Leistungstransistor mit Grabenanschlusselektrode

EP3224869 Art A1 4. Oktober 2017

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3224869
Aktenzeichen: EP15817449
Anmeldetag: 24. November 2015
Veröffentlichung: 4. Oktober 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/739H01L29/417H01L29/10H01L21/336H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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