Verfahren zur Herstellung eines Ferroelektrischen Halbleiterspeicherelements und Ferroelektrischer Speichertransistor

EP3236487 Art B1 5. Juni 2024

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, WACOM R&D Corporation, WACOM, Wacom, R&D Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3236487
Aktenzeichen: EP17167457
Anmeldetag: 21. April 2017
Veröffentlichung: 5. Juni 2024
Erteilung: 5. Juni 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28G11C11/22H01L29/51H01L29/66H01L29/78H01L21/02// H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
WACOM R&D Corporation
WACOM
Wacom, R&D Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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