Verfahren zur Herstellung von Vollständig Selbstjustierten Dünnfilmtransistoren mit Doppel-Gate

EP3236503 Art A1 25. Oktober 2017

Anmelder: IMEC VZW, Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3236503
Aktenzeichen: EP16165832
Anmeldetag: 18. April 2016
Veröffentlichung: 25. Oktober 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/66H01L29/786H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC VZW
Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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