Mit einer Opferunterlamelle Hergestellter Hochmobiler Nanodrahtlamellenkanal auf einem Siliciumsubstrat
EP3238243
Art B1
25. August 2021
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3238243
- Aktenzeichen
- EP14909269
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 25. August 2021
- Erteilung
- 25. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20H01L21/336H01L29/775H01L21/02H01L21/76H01L29/423H01L29/786H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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