Struktur mit Geringem Kernstromleck in einem Io-Empfänger Während einer Io-Abschaltung

EP3240193 Art B1 3. Juli 2019

Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3240193
Aktenzeichen: EP17166521
Anmeldetag: 13. April 2017
Veröffentlichung: 3. Juli 2019
Erteilung: 3. Juli 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H03K19/00H03K19/0185H03K3/012H03K3/037H03K3/3562

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)

Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.

266 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Beijing)

Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von