Elektrischer Schaltkreis mit Strahlungsschutz und Betriebsverfahren

EP3245737 Art B1 15. Mai 2019

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3245737
Aktenzeichen: EP16700822
Anmeldetag: 15. Januar 2016
Veröffentlichung: 15. Mai 2019
Erteilung: 15. Mai 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H03K19/003

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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