Mos-Transistor für Strahlentolerante Digitale Cmos-Schaltungen

EP3246952 Art B1 14. August 2019

Anmelder: IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3246952
Aktenzeichen: EP17170878
Anmeldetag: 12. Mai 2017
Veröffentlichung: 14. August 2019
Erteilung: 14. August 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/417H01L21/8238H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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