Halbleiterkristallsubstrat, Infrarotdetektor, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristallsubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Infrarotdetektors
EP3255653
Art A1
13. Dezember 2017
Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3255653
- Aktenzeichen
- EP17165717
- Anmeldetag
- 10. April 2017
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L27/144
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJITSU LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
17.891 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hutchison, James
London, Großbritannien
221
Patente gesamt
24
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Haseltine Lake Kempner LLP
Haseltine Lake Kempner LLP · München