Zusammensetzung zum Chemisch-Mechanisches Polieren (cmp), Verfahren und System für Kobalthaltiges Substrat

EP3257910 Art B1 27. März 2019

Anmelder: Versum Materials US, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3257910
Aktenzeichen
EP17176186
Anmeldetag
15. Juni 2017
Veröffentlichung
27. März 2019
Erteilung
27. März 2019
Rechtsraum
EP
IPC
C09G1/02H01L21/00C08K3/00C08K5/17
Offizieller Volltext

Abstract

Chemical mechanical polishing (CMP) compositions, methods and systems for polish cobalt or cobalt-containing substrates are provided. The CMP compositions comprise α-alanine, abrasive particles, a salt of phosphate, corrosion inhibitor, oxidizer and water. The cobalt chemical mechanical polishing compositions provide high removal rate of Co as well as very high selectivity of Co film vs. dielectric film, such as TEOS, SixNy (with 1.0 < x <3.0, 1.33 < y <4.0), low-k, and ultra low-k films.

Anmelder

Firma
Versum Materials US, LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Versum Materials US

Versum Materials US, LLC war ein US-amerikanischer Hersteller von Spezialchemikalien und -gasen für die Halbleiterfertigung, der 2019 von Merck KGaA übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Oberflächentechnik, ergänzt um Farben, Klebstoffe und organische Chemie. Anmeldungen erfolgten zwischen 2002 und 2025.

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