Verfahren zur Bildung von Abstandhaltern eines Gates eines Transistors
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3261124
- Aktenzeichen
- EP17176724
- Anmeldetag
- 19. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 19. August 2020
- Erteilung
- 19. August 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/786H01L21/8238H01L21/8234H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
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