Struktur zum Schutz eines Integrierten Schaltkreises gegen Elektrostatische Entladungen
EP3276662
Art B1
28. Oktober 2020
Anmelder: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3276662
- Aktenzeichen
- EP17156411
- Anmeldetag
- 16. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2020
- Erteilung
- 28. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H02H9/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Kanzlei
Cabinet Beaumont
Das Cabinet Beaumont wurde 1985 gegründet und ist im französischen Grenoble ansässig. Es setzt bewusst auf ein integriertes Team aus Ingenieuren und Juristen, die alle auf gewerblichen Rechtsschutz spezialisiert sind, für ein breites technisches Spektrum.
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