Halbleiterbauelement

EP3276830 Art B1 16. Dezember 2020

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3276830
Aktenzeichen: EP17183557
Anmeldetag: 27. Juli 2017
Veröffentlichung: 16. Dezember 2020
Erteilung: 16. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H03K17/0812

Abstract

A semiconductor device includes a first overvoltage detection unit including a first comparator arranged to output a first detection signal based on a first divided voltage after dividing an output voltage of a power supply circuit by first resistors disposed externally and a second overvoltage detection unit including second resistors and a second comparator arranged to output a second detection signal based on a second divided voltage after dividing the output voltage by the second resistors.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von