Halbleiterbauelement und Abtasttestverfahren
EP3287799
Art B1
2. November 2022
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3287799
- Aktenzeichen
- EP15889119
- Anmeldetag
- 16. April 2015
- Veröffentlichung
- 2. November 2022
- Erteilung
- 2. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R31/28G01R31/3185G06F11/267
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München