Halbleitergehäuse
EP3299966
Art A3
30. Mai 2018
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3299966
- Aktenzeichen
- EP17188061
- Anmeldetag
- 28. August 2017
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F13/10H05K1/02G06F12/02G06F12/06G06F1/20H01L25/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
-
Isarpatent
Isarpatent · München