Verfahren zur Verbesserung der Drahtbindungsstärke eines Bildsensors

EP3301711 Art A3 6. Juni 2018

Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3301711
Aktenzeichen: EP17192405
Anmeldetag: 21. September 2017
Veröffentlichung: 6. Juni 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/485H01L27/146H01L23/31H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

A method for manufacturing a bond pad structure includes providing a substrate (201) structure including a substrate, a first metal layer (202) on the substrate (201), and a passivation layer (203) on the first metal layer (202), the passivation layer (203) having an opening (204) extending to the first metal layer (202); and filling the opening (204) of the passivation layer (203) with a second metal layer (205). The bond pad structure has a significantly increased thickness compared with the thickness of the exposed portion of the first metal layer in the opening, thereby ensuring wire bonding reliability and yield.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Beijing)

Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.

281 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)

Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.

266 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von