Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3301722
- Aktenzeichen
- EP17188978
- Anmeldetag
- 1. September 2017
- Veröffentlichung
- 4. November 2020
- Erteilung
- 4. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/66H01L29/786H01L29/06
Abstract
The present invention relates to the technical field of semiconductor processes, and discloses a semiconductor device and a manufacturing method therefor. The manufacturing method includes: providing a substrate structure including a substrate and a first material layer on the substrate, wherein a recess is formed in the substrate and the first material layer includes a nanowire; forming a base layer on the substrate structure; selectively growing a graphene layer on the base layer; forming a second dielectric layer on the graphene layer; forming an electrode material layer on the substrate structure to cover the second dielectric layer; defining an active region; and forming a gate by etching at least a portion of a stack layer to at least the second dielectric layer so as to form a gate structure surrounding an intermediate portion of the nanowire, where the gate structure includes a portion of the electrode material layer and the second dielectric layer. The present invention incorporates graphene into the semiconductor process and makes use of the features of graphene in a dual-gate structure.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) - Land
- 🇨🇳 China
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.
281 Patente in unserer Datenbank
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.
266 Patente in unserer Datenbank