System und Verfahren zur Erhöhung der Iii-Nitrid-Halbleiterwachstumsrate und Verringerung von Schädlichem Ionenfluss

EP3311395 Art A1 25. April 2018

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3311395
Aktenzeichen
EP16812470
Anmeldetag
16. Juni 2016
Veröffentlichung
25. April 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205C23C16/50C30B29/38H01L21/00H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Georgia Tech Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Baker, Thomas Edward Cardiff, Großbritannien
207
Patente gesamt
32
Fachgebiete
12
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Medizintechnik & Gesundheit Verpackungs- & Fördertechnik Haushalts-, Möbel- & Konsumgüter Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik
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