Übergangsmetall-Trockenätzung durch Atomlagenentfernung von Oxidschichten zur Herstellung von Bauelementen

EP3311398 Art A1 25. April 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3311398
Aktenzeichen: EP15895804
Anmeldetag: 17. Juni 2015
Veröffentlichung: 25. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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