Fotovoltaikzellen mit Rückseitigen Kontakten und Herstellungsverfahren davon
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3316319
- Aktenzeichen
- EP17199064
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2017
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2019
- Erteilung
- 4. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/068H01L31/18
Abstract
Ce procédé comporte les étapes : a) prévoir un substrat (1), réalisé à base de silicium cristallin, et présentant : - une première surface (10), destinée à être orientée vers un rayonnement solaire (R), et - une seconde surface (11) opposée ; b) former des premières couches diélectriques (2), comportant chacune des dopants de type n, P, As, Sb, sur la seconde surface (11) de sorte que la seconde surface (11) présente des zones libres ; c) former une deuxième couche diélectrique (3), comportant des dopants de type p, B, Al, Ga, sur les premières couches diélectriques (2) et sur les zones libres ; d) diffuser les dopants de type n et les dopants de type p, respectivement depuis les premières couches diélectriques (2) et depuis la deuxième couche diélectrique (3) formée sur les zones libres, sous la seconde surface (11) de manière à former des régions semi-conductrices dopées (20, 30).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.
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GIE Innovation Competence Group
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