Metalloxid-Halbleiterdünnschicht, Dünnschichttransistor und deren Herstellungsverfahren und Anzeigevorrichtung

EP3317899 Art B1 5. November 2025

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3317899
Aktenzeichen: EP15860002
Anmeldetag: 10. Dezember 2015
Veröffentlichung: 5. November 2025
Erteilung: 5. November 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D62/80H10D62/40H01L21/203H10D30/67H10D86/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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