Dünnschichttransistor, Dünnschichttransistorarraysubstrat, Herstellungsverfahren dafür und Anzeigetafel

EP3320555 Art B1 18. November 2020

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3320555
Aktenzeichen: EP15871296
Anmeldetag: 10. Dezember 2015
Veröffentlichung: 18. November 2020
Erteilung: 18. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/34H01L21/44H01L29/786H01L29/423H01L21/77H01L27/12H01L29/66H01L29/49H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von