Halbleiterstruktur, Statischer Direktzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren dafür

EP3327788 Art B1 4. August 2021

Anmelder: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation, Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation, Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai), Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3327788
Aktenzeichen: EP17203763
Anmeldetag: 27. November 2017
Veröffentlichung: 4. August 2021
Erteilung: 4. August 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L29/66H01L21/8238H01L29/161H01L29/165H01L29/78H01L27/11H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

A semiconductor structure, a method for fabricating the semiconductor structure and a static random access memory are provided. The method includes providing a base substrate including a substrate and a plurality of discrete fins on the substrate. The substrate includes a pull-up transistor region and a pull-down transistor region. The method also includes forming a gate structure on each fin; and forming pull-up doped epitaxial layers, in the fin on both sides of the gate structure in the pull-up transistor region. In addition, the method includes forming a first pull-down doped region connected to an adjacent pull-up doped epitaxial layer in the fin on one side of the gate structure in the pull-down transistor region. Further, the method includes forming a second pull-down doped region by performing an ion-doped non-epitaxial layer process on the fin on another side of the gate structure in the pull-down transistor region.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai)
Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai)

Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) ist eine Tochtergesellschaft der chinesischen Chipfoundry SMIC mit Sitz in Shanghai. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiterbauelemente, ergänzt um Elektronik- und Steuerungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2016 bis 2021 betreffen unter anderem Halbleiterstrukturen und Spannungsregler.

266 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Semiconductor Manufacturing International (Beijing)

Semiconductor Manufacturing International (Beijing) ist die Pekinger Fertigungstochter des chinesischen Chip-Auftragsfertigers SMIC. Das Patentportfolio dreht sich fast vollständig um Halbleiter- und elektrische Bauelemente, mit kleineren Anteilen in Datenspeicherung und Optik. Die Anmeldungen stammen überwiegend aus den Jahren 2016 bis 2021.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von