Dünnschichttransistorstruktur mit Dreidimensionalem Rippenförmigem Kanal und Herstellungsverfahren dafür

EP3333899 Art B1 1. Juli 2020

Anmelder: Sun Yat-Sen University, Sun Yat-Sen University-Carnegie Mellon University Shunde International Joint Research Institute, Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3333899
Aktenzeichen
EP16832284
Anmeldetag
30. Juli 2016
Veröffentlichung
1. Juli 2020
Erteilung
1. Juli 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L29/423H01L29/786H01L31/0224
Offizieller Volltext

Abstract

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Sun Yat-Sen University
Sun Yat-Sen University-Carnegie Mellon University Shunde International Joint Research Institute
Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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