Dünnschichttransistorstruktur mit Dreidimensionalem Rippenförmigem Kanal und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: Sun Yat-Sen University, Sun Yat-Sen University-Carnegie Mellon University Shunde International Joint Research Institute, Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3333899
- Aktenzeichen
- EP16832284
- Anmeldetag
- 30. Juli 2016
- Veröffentlichung
- 1. Juli 2020
- Erteilung
- 1. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/423H01L29/786H01L31/0224
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Sun Yat-Sen University
Sun Yat-Sen University-Carnegie Mellon University Shunde International Joint Research Institute
Sun Yat-Sen University Carnegie Mellon University - Land
- 🇨🇳 China
Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.
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Canzler & Bergmeier Patentanwälte Partnerschaft mbB
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