Herstellungsverfahren für Dünnschichttransistor

EP3333900 Art B1 7. Oktober 2020

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3333900
Aktenzeichen: EP16770671
Anmeldetag: 13. Januar 2016
Veröffentlichung: 7. Oktober 2020
Erteilung: 7. Oktober 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

9.260 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von