Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
EP3336880
Art B1
24. Mai 2023
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3336880
- Aktenzeichen
- EP17200145
- Anmeldetag
- 6. November 2017
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2023
- Erteilung
- 24. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München