Verfahren für Selektives Epitaktisches Wachstum einer Gruppe Iii-Nitrid Schicht

EP3340279 Art A1 27. Juni 2018

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3340279
Aktenzeichen: EP16205622
Anmeldetag: 21. Dezember 2016
Veröffentlichung: 27. Juni 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC vzw
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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