Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP3340288
Art A1
27. Juni 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3340288
- Aktenzeichen
- EP17201233
- Anmeldetag
- 13. November 2017
- Veröffentlichung
- 27. Juni 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/311G03F7/24H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München