Halbleiterbauelement mit einer Aktiven, von einem Internen Feld Abgeschirmten Region

EP3347922 Art B1 2. Juni 2021

Anmelder: Technische Universität Berlin 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3347922
Aktenzeichen: EP16763267
Anmeldetag: 9. September 2016
Veröffentlichung: 2. Juni 2021
Erteilung: 2. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/06H01L33/02H01L33/04H01L33/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Firma: Technische Universität Berlin
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Technische Universität Berlin

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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