Leistungshalbleitergehäuse mit Niedriger Parasitärer Induktivität
EP3349249
Art B1
22. September 2021
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3349249
- Aktenzeichen
- EP17206878
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 22. September 2021
- Erteilung
- 22. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/07H05K1/02H01L23/64H01L23/538H01L23/367// H05K3/46H02M7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Lohmanns Lohmanns & Partner Patentanwälte und Rechtsanwalt mbB PartG
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Kanzlei
Lohmanns Lohmanns & Partner Patentanwälte und Rechtsanwalt mbB PartG
Düsseldorf, Deutschland
Patent- und Rechtsanwaltskanzlei mit Sitz in Düsseldorf, berät zu gewerblichem Rechtsschutz einschließlich Patent-, Marken- und Designrecht.
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Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH
Dilg, Haeusler, Schindelmann Patentanwaltsgesellschaft mbH · München