Leistungshalbleitergehäuse mit Niedriger Parasitärer Induktivität

EP3349249 Art B1 22. September 2021

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3349249
Aktenzeichen
EP17206878
Anmeldetag
13. Dezember 2017
Veröffentlichung
22. September 2021
Erteilung
22. September 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/07H05K1/02H01L23/64H01L23/538H01L23/367// H05K3/46H02M7/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Lohmanns Lohmanns & Partner Patentanwälte und Rechtsanwalt mbB PartG Düsseldorf, Deutschland

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