Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Sic-Wafers

EP3352200 Art B1 21. Dezember 2022

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3352200
Aktenzeichen: EP16846221
Anmeldetag: 25. August 2016
Veröffentlichung: 21. Dezember 2022
Erteilung: 21. Dezember 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C23C16/42C30B25/20C30B29/36H01L21/20H01L29/12H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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