Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon
EP3358603
Art A1
8. August 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3358603
- Aktenzeichen
- EP15905451
- Anmeldetag
- 1. Oktober 2015
- Veröffentlichung
- 8. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3205H01L21/768H01L23/522H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
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Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München