Elektronisches Halbleiterbauteil, dessen Herstellung und Verbindung

EP3364475 Art B1 29. Mai 2024

Anmelder: Novaled GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3364475
Aktenzeichen
EP17156906
Anmeldetag
20. Februar 2017
Veröffentlichung
29. Mai 2024
Erteilung
29. Mai 2024
Rechtsraum
EP
IPC
C07F5/02H10K50/155H10K71/30H10K85/30H10K102/10
Offizieller Volltext

Abstract

The present invention relates to an electronic device comprising between a first electrode and a second electrode at least one first semiconducting layer comprising (i) at least one first hole transport matrix compound consisting of covalently bound atoms and (ii) at least one electrical p-dopant selected from metal borate complexes, wherein the metal borate complex consists of at least one metal cation and at least one anionic ligand consisting of at least six covalently bound atoms which comprises at least one boron atom, wherein the first semiconducting layer is a hole injection layer, a hole-injecting part of a charge generating layer or a hole transport layer, a method for preparing the same and a compound which may be comprised therein.

Anmelder

Firma
Novaled GmbH
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Novaled

Deutsches Unternehmen für OLED-Technologie mit Sitz in Dresden. Novaled entwickelt Materialien und Technologien zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden für Displays und Beleuchtung.

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Kanzlei
Boehmert & Boehmert München, Deutschland

Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.

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