Verfahren zur Grabenstrukturierung in Dielektrischen Schichten unter Verwendung einer Blockmaske und Zugehörige Halbleiterstruktur
EP3367428
Art A1
29. August 2018
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3367428
- Aktenzeichen
- EP17157578
- Anmeldetag
- 23. Februar 2017
- Veröffentlichung
- 29. August 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/033H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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