Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Sechsseitig Geschützten Wänden
EP3367430
Art B1
25. Januar 2023
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3367430
- Aktenzeichen
- EP18154192
- Anmeldetag
- 30. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2023
- Erteilung
- 25. Januar 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H01L21/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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