Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3379579 Art B1 24. März 2021

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3379579
Aktenzeichen: EP18170424
Anmeldetag: 13. November 2009
Veröffentlichung: 24. März 2021
Erteilung: 24. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/786H01L23/532H01L21/336H01L29/16H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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