Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer, Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit Epitaktischer Schicht und Halbleiterscheibe mit Epitaktischer Schicht
EP3384073
Art B1
20. Januar 2021
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3384073
- Aktenzeichen
- EP16801197
- Anmeldetag
- 24. November 2016
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2021
- Erteilung
- 20. Januar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/12C30B29/06H01L21/67H01L21/673
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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