Ferroelektrischer Kondensator, Ferroelektrischer Feldeffekttransistor und Verfahren zur Bildung eines Elektronischen Bauelements mit Leitfähigem Material und Ferroelektrischem Material
EP3384532
Art A1
10. Oktober 2018
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3384532
- Aktenzeichen
- EP16871282
- Anmeldetag
- 21. November 2016
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/51H01L21/28H01L49/02H01L29/66H01L27/11507H01L27/1159H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Blake, Stephen James
Oxford, Großbritannien
259
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Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg