Verfahren zur Herstellung von Dotierten Source/drain-Kontakten und damit Hergestellte Strukturen

EP3394896 Art B1 8. Oktober 2025

Anmelder: Tahoe Research, Ltd., Intel Corporation 🇮🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3394896
Aktenzeichen: EP15911509
Anmeldetag: 24. Dezember 2015
Veröffentlichung: 8. Oktober 2025
Erteilung: 8. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/01H10D30/62H10D30/69

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tahoe Research, Ltd.
Intel Corporation
Land: 🇮🇪 Irland

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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