Halbleiterbauelement und Verfahren zur Generierung einer Eindeutigen Id

EP3396671 Art B1 18. August 2021

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3396671
Aktenzeichen
EP18164230
Anmeldetag
27. März 2018
Veröffentlichung
18. August 2021
Erteilung
18. August 2021
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/24G06F21/73G06F21/74G06F21/79H04L9/08H04L9/32G11C29/44G11C16/22G11C16/04G09C1/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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