Oxidhalbleitermaterial, Dünnschichttransistor und Herstellungsverfahren dafür

EP3405980 Art B1 23. Juni 2021

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology, South China University Of Technology (SCUT) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3405980
Aktenzeichen: EP16812667
Anmeldetag: 20. Mai 2016
Veröffentlichung: 23. Juni 2021
Erteilung: 23. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
South China University Of Technology (SCUT)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von