Herstellungsverfahren von einem Dünnschichttransistor

EP3413335 Art B1 26. Oktober 2022

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3413335
Aktenzeichen: EP16843279
Anmeldetag: 11. Mai 2016
Veröffentlichung: 26. Oktober 2022
Erteilung: 26. Oktober 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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