Verfahren zur Herstellung von mindestens einer Halbleitenden Struktur mit einem Stapel aus einer oder mehreren Aluminiumgalliumarsenidschichten

EP3417322 Art B1 21. Juni 2023

Anmelder: Université Paris Cité, Centre National de la Recherche Scientifique, Université de Paris, Université Paris Diderot 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3417322
Aktenzeichen: EP17704512
Anmeldetag: 16. Februar 2017
Veröffentlichung: 21. Juni 2023
Erteilung: 21. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: G02B6/00H01S3/063H01L21/3115H01L21/02G02B6/12H01S5/20H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Firmen: Université Paris Cité
Centre National de la Recherche Scientifique
Université de Paris
Université Paris Diderot
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Université Paris Cité

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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