Durchkontaktierungen in Substratgehäusen

EP3420588 Art B1 1. Januar 2025

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3420588
Aktenzeichen: EP16891846
Anmeldetag: 26. Februar 2016
Veröffentlichung: 1. Januar 2025
Erteilung: 1. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/48H01L21/48H01L23/498H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von