Verfahren zum Herstellen von auf Nitrid Basierenden Transistoren mit einer Kappenschicht und einem Ausgesparten Gate

EP3425674 Art A3 15. Mai 2019

Anmelder: Wolfspeed, Inc., Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3425674
Aktenzeichen: EP18190841
Anmeldetag: 30. März 2005
Veröffentlichung: 15. Mai 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L21/338H01L21/336// H01L29/423H01L29/417H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Wolfspeed, Inc.
Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von