Mosfet-Bauelement aus Siliciumkarbid mit Integrierter Diode und Herstellungsverfahren dafür

EP3425676 Art B1 28. Dezember 2022

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3425676
Aktenzeichen
EP18181848
Anmeldetag
5. Juli 2018
Veröffentlichung
28. Dezember 2022
Erteilung
28. Dezember 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336H01L29/872H01L29/06H01L29/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

2.334 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Studio Torta S.p.A Treviso, Italien

Studio Torta ist eine italienische IP-Boutique mit Büros in Turin, Mailand, Bologna, Rom, Treviso und Rimini, spezialisiert auf Patente, Marken, Designs und Sortenschutz, mit erkennbaren Schwerpunkten in Pharma sowie Agrar- und Lebensmittelprodukten.

17.011
Patente gesamt
25
Patentanwälte
2
Standorte
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen