Vorrichtung und Verfahren zur Zweidimensionalen Aktiven Trägerprofilierung von Halbleiterbauelementen

EP3432007 Art B1 26. Februar 2020

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3432007
Aktenzeichen
EP17181780
Anmeldetag
18. Juli 2017
Veröffentlichung
26. Februar 2020
Erteilung
26. Februar 2020
Rechtsraum
EP
IPC
G01R27/02G01Q60/30H01L21/66
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IMEC vzw
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

2.629 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen