Vorrichtung und Verfahren zur Zweidimensionalen Aktiven Trägerprofilierung von Halbleiterbauelementen
EP3432007
Art B1
26. Februar 2020
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3432007
- Aktenzeichen
- EP17181780
- Anmeldetag
- 18. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2020
- Erteilung
- 26. Februar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R27/02G01Q60/30H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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