Verfahren zur Herstellung eines Leitenden Grabens oder einer Durchkontaktierung

EP3451366 Art A1 6. März 2019

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, LAM Research Corporation 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3451366
Aktenzeichen: EP17306132
Anmeldetag: 1. September 2017
Veröffentlichung: 6. März 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
LAM Research Corporation
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.989 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.727 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von