Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelements
EP3451367
Art A1
6. März 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3451367
- Aktenzeichen
- EP18184934
- Anmeldetag
- 23. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 6. März 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank