Verfahren zur Herstellung einer Optoelektronischen Vorrichtung mit mehreren Galliumnitriddioden

EP3455882 Art B1 11. August 2021

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Thales 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3455882
Aktenzeichen: EP16730449
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 11. August 2021
Erteilung: 11. August 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/15H01L31/00H01L33/00H01L33/40H01L33/42H01L25/075

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Thales
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.940 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

5.826 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von